气体组分
133 6187 1138
孙先生
电子气
是现代高端制造的“工艺粮食”，其应用已从前段晶圆制造延伸到封装、面板、光伏、LED、光纤等泛半导体全流程。
核心优势
纯度/洁净度极高
大宗气 5N~6N（99.999%~99.9999%），特气普遍 6N 以上，金属杂质≤1 ppt，颗粒≤0.1 μm，满足 28 nm、7
nm、3 nm 等先进节点的“零缺陷”需求；
工艺覆盖“全制程”且不可替代
薄膜沉积（CVD/ALD）、干法刻蚀、离子注入、扩散掺杂、光刻惰性气氛、EUV 腔体清洗等 20 余道核心工序，均需特定电子气，无替代方案；
秒级在线监测，质量风险可控
拉曼、CRDS、APIMS 等在线分析把 H₂O、O₂、THC 检出限降到 ppb-ppt，秒级反馈，避免整批晶圆报废；大宗气槽车+现场制气双模式，压力/纯度/流量
24 h 连续监控，年断供率 <0.1 %
高附加值、成本占比低
电子气占晶圆制造总成本仅 4–6 %，却直接影响 50 % 以上良率，是典型的“杠杆原料” ，6N 级硅烷单价约工业级成本极低；
绿色低碳与循环优势
现场 NF₃ 回收纯化系统把温室气体排放削减 90 %；超临界 CO₂ 清洗替代湿法，减少有机溶剂 80 %，降低废水处理压力；
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供应链本土化加速，交期与成本双降
国内已量产 6N 硅烷、5N NF₃、6N 磷烷等关键品种，交期由 8–12 周缩短到 2–4 周，运输成本下降 15–25 %，降低断供风险；
产品参数
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组分/浓度
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阀门
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充装压力
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应用行业
半导体（晶圆制造）
有光刻、刻蚀/清洗、薄膜沉积、离子注入、腔体保护；高纯氮、氦用于镜头冷却与腔体干燥，保证图形转移精度，超纯氮、氩、氢作载气或稀释气，确保反应气氛无氧无水，杂质控制在
ppb 级；
显示面板（LCD/OLED）
TFT 背板刻蚀与 CVD 工序使用 CHF₃、SF₆、SiH₄、NH₃；OLED 蒸镀腔用氮/氦清洗冷却，气体成本占面板制造总耗材 30–40
%，OLED 发光层蒸镀需 6N 级氮氦环境，避免水汽导致有机材料淬灭；
LED 与化合物半导体
MOCVD 外延 GaN、InGaN 使用 NH₃、SiH₄、TEGa；高纯氢作载气，纯度 6N，氧杂质<0.1 ppm，决定 LED
波长集中度；
光伏（晶体硅/薄膜）
扩散工序用 POCl₃、BCl₃ 掺杂；PECVD 沉积 SiN 减反层使用 SiH₄/NH₃；刻蚀采用 CF₄/NF₃，气体成本占电池片制造
8–10 %；
光纤与光通信
预制棒 MCVD/OVD 工艺用 SiCl₄、GeCl₄ 载氦导热，降低折射率波动；拉丝段氦气保护，提高光纤强度与衰减指标；
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